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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
62
En -130% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.7
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
27
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2071
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
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Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
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