RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
62
En -170% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
23
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2457
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link