RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
62
En -88% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
33
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
3111
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link