RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
62
En -94% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.5
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
32
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
10.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2214
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link