RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
62
En -138% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.6
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
26
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
12.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2257
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link