RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
62
En -121% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
10600
En 2.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
28
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
23400
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
3419
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link