RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
48
62
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.6
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
48
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2466
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link