RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
62
En -63% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
38
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2470
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link