RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
32
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
32
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1668
2974
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link