RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
16.5
Скорость записи, Гб/сек
7.1
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
2974
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link