RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
16.5
Скорость записи, Гб/сек
7.1
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
2974
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology ST102464BF160B.16F 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link