Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Kingston 9965640-016.A00G 32GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Puntuación global
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Kingston 9965640-016.A00G 32GB

Kingston 9965640-016.A00G 32GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    28 left arrow 42
    En 33% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    10.9 left arrow 8.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.1 left arrow 5.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 8500
    En 2 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    28 left arrow 42
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.9 left arrow 8.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.1 left arrow 5.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1668 left arrow 1687
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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