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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
比較する
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Kingston 9965640-016.A00G 32GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
総合得点
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
42
周辺 33% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
10.9
8.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.1
5.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
8500
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
42
読み出し速度、GB/s
10.9
8.3
書き込み速度、GB/秒
7.1
5.8
メモリ帯域幅、mbps
8500
17000
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1668
1687
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
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