RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Puntuación global
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
30
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1668
3050
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Jinyu 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G3S160BM.C16FED 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link