RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Wynik ogólny
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1668
3050
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link