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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Puntuación global
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
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Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
28
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1668
2548
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
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