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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
28
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1762
2932
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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