RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1762
2932
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link