RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
11
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
6.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
1775
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link