RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
11
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
6.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
11.0
Скорость записи, Гб/сек
10.1
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
1775
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link