RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2761
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link