RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
45
Около 2% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.3
11.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
1900
Около 6.74% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.4
7.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
45
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
11.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
1900
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
2387
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
G Skill Intl F5-6000U3636E16G 16GB
G Skill Intl F5-6000U3636E16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link