RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
44
45
Rund um 2% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
1900
Rund um 6.74% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
11.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
1900
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1977
2387
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB RAM-Vergleiche
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston 99U5428-065.A00LF 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link