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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Compara
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
45
En 2% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
1900
En 6.74% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
45
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
1900
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
2387
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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