RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
11
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
6.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
1775
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston 9905403-02X.B00LF 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link