RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
54
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2600
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link