RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
104
Wokół strony -271% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.1
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
1775
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link