RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
31
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2995
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link