RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.1
11.4
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
30
42
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1762
1892
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link