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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
42
Por volta de 29% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
7.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.1
11.4
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
30
42
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
12.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
7.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1762
1892
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB Comparações de RAM
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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