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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
比較する
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
総合得点
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
42
周辺 29% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
7.9
7.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
12.1
11.4
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
30
42
読み出し速度、GB/s
11.4
12.1
書き込み速度、GB/秒
7.9
7.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
12800
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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1892
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Frequency (Mhz) *
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
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