Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB

総合得点
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Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB

相違点

  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 42
    周辺 29% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.9 left arrow 7.6
    テスト平均値
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.1 left arrow 11.4
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    30 left arrow 42
  • 読み出し速度、GB/s
    11.4 left arrow 12.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.9 left arrow 7.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    1762 left arrow 1892
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