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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
30
En -43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
5.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
21
Velocidad de lectura, GB/s
8.8
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.6
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1344
3033
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
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