RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB против Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
30
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
21
Скорость чтения, Гб/сек
8.8
18.1
Скорость записи, Гб/сек
5.6
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1344
3033
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link