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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
30
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
5.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
23
Velocidad de lectura, GB/s
8.8
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.6
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1344
2489
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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