RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
30
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
8.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
23
Prędkość odczytu, GB/s
8.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1344
2489
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link