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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
79
En 62% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
5.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
79
Velocidad de lectura, GB/s
8.8
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.6
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1344
1651
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
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