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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
79
Rund um 62% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
79
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.8
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
7.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1344
1651
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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