RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
46
En 39% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.8
11.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
28
46
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1920
1854
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston HP691160-H63-KEB 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link