Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Puntuación global

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Puntuación global

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Informar de un error

Mayor velocidad de lectura, GB/s

12.3 11.8

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

8.0 7.9

Valor medio en las pruebas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

28 45

En -61% menor latencia

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Principales características

Tipo de memoria

DDR3 DDR3
Latencia en PassMark, ns

45 28
Velocidad de lectura, GB/s

12.3 11.8
Velocidad de escritura, GB/s

8.0 7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps

12800 12800

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1992 1920

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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