RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
es
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Puntuación global
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 11.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.0 left arrow 7.9
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Informar de un error
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    28 left arrow 45
    En -61% menor latencia

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    45 left arrow 28
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 11.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.0 left arrow 7.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1992 left arrow 1920

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones