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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
42
En 38% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
26
42
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
12800
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2186
2288
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
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