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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Note globale
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
42
Autour de 38% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
26
42
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
12800
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2186
2288
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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