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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
65
En -103% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.3
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
3726
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
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