RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
61
65
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
61
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2136
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link