RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
12.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
65
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
51
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
12.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
3090
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link