RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
65
En -160% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.2
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
25
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
20.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
4106
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link