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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
65
En -150% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
3596
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
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