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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
65
En -103% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
3516
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
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