RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
47
65
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
47
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2640
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link