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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
65
En -150% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2359
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
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