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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
65
73
En 11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.0
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
73
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
1468
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
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