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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
65
En -141% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
3061
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
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Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
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Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
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